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如果示波器支持积分功能, 则能进一步得出MOSFET在任何高耗能事件中的实际总能耗。图4新增红色曲线为利用示波器积分功能计算出MOSFET消耗的能量信息。

如图3a所示，COUT为360 micro;F，浪涌电流被限制在2A。由于功率在MOSFET开启的2ms内是一个三角形状，可以算出大约有24W/2×2ms=24mJ的能量变成了热。可以看出，当MOSFET开启结束时，示波器积分功能计算出的能量数据就是24mWs (=24mJ)!

此类功能还适用于分析MOSFET的其它瞬态事件，如关断，短路或过载。如此详尽的功率和能量数据可用来精确分析MOSFET瞬态事件发生时的SOA和温度特性。

测量负载电容

数字示波器计算功能中的积分功能还可用来测量热插拔电路中的负载电容。假设不考虑电路阻抗对电流的影响，则负载电容值等于电容电压每变化一伏改变的电量；而电量就是电流对时间的积分。因此，对热插拔电路浪涌电流除以输出电压的值进行积分，数字示波器就可以精确计算出负载电容值大小。图5a中，热插拔控制器输出有三个10 micro;F陶瓷电容。由于作为分母的电压初始值为零，所以计算曲线的开始阶段没有任何实际意义。但VOUT超过伏后，计算出的电容值大约为27 micro;F。可以看出，尽管示波器的功能已经十分强大，但仍不能如我们所希望的那样正确显示电容值单位！

图5b的测试和图5a相同,但在输出电容处增加了一个330 micro;F电解电容，当MOSFET开启结束时，可以看到示波器显示结果恰好就是360 micro;F，正是我们所期望的。注意阻性负载会降低电容测试的精度，因为它会分流进入电容的电荷。但对于瞬态时间分析，结果依然非常有用。

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